Главная
Новости Политика Геополитика Мир Россия ИноСМИ Видео

В России появится производство магниторезистивной памяти STT-MRAM

ООО «Крокус НаноЭлектроника» (КНЭ) и МФТИ объявляют о начале совместной исследовательской программы по разработке и апробации технологии производства магнитной памяти нового поколения STT-MRAM. Партнёры направят свои усилия на разработку новых материалов, дизайн устройств, а также разработку методов их контроля и моделирования. Успешная реализация программы позволит создать условия для производства продуктов, использующих технологию STT-MRAM, на мощностях КНЭ.

Магнитная технология Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory (STT-MRAM) использует «перенос спина» для перезаписи ячеек памяти. Применение этого эффекта в традиционной магниторезистивной памяти позволяет уменьшить величину тока, необходимую для записи информации в ячейку, а также использовать техпроцесс от 90 до 22 нанометров и ниже. На сегодня все крупнейшие производители динамической оперативной памяти DRAM имеют свои программы STT-MRAM — данная технология считается основным кандидатом на замещение DRAM в ближайшем будущем.

«Крокус НаноЭлектроника» — единственная в Европе и одна из немногих в мире коммерческая площадка для производства памяти и сенсоров на основе магнитных туннельных структур, по топологической норме до 90/65 нанометров на пластинах диаметром 300 мм.

«Производственные мощности нашей компании идеально подходят для создания встроенных или дискретных продуктов на основе STT-MRAM. Мы ожидаем, что в ближайшее время у этой технологии появится большой рынок — этому поспособствует превосходство STT-MRAM по таким показателям, как количество циклов перезаписи, скорость и энергопотребление. Поэтому мы возлагаем большие надежды на эту программу», — отмечает генеральный директор «Крокус НаноЭлектроника» Олег Сютин.

Заместитель заведующего лабораторией физики магнитных гетероструктур и спинтроники для энергосберегающих информационных технологий и руководитель работ от МФТИ Дмитрий Лещинер комментирует: «В МФТИ наработана уникальная экспертиза в исследовании новых материалов и структур для микроэлектроники. В частности, в нашей лаборатории развиты одни из самых мощных методов моделирования магнитной памяти, созданы уникальные экспериментальные стенды для исследования материалов и устройств спинтроники. Мы ожидаем, что наш вклад и совместные усилия позволят КНЭ запустить производство STT-MRAM памяти в России в самое короткое время».

Подпишитесь на нас Вконтакте, Одноклассники

1286
Похожие новости
23 сентября 2017, 11:00
22 сентября 2017, 12:30
20 сентября 2017, 18:00
20 сентября 2017, 18:00
22 сентября 2017, 12:30
21 сентября 2017, 19:15
Новости партнеров
 
 
Новости партнеров
 
Комментарии
Популярные новости
20 сентября 2017, 18:00
19 сентября 2017, 22:30
21 сентября 2017, 19:00
18 сентября 2017, 10:30
18 сентября 2017, 13:45
22 сентября 2017, 10:15
21 сентября 2017, 08:45